相较于低频集成电路，毫米波集成电路的发展一直不是那么理想，虽然毫米波集成电路也经历了从分立器件、混合集成电路到单片集成电路的发展道路，但是因高频信号的易干扰等物理限制，要想把简单功能的毫米波器件集成为超大规模集成电路是有难度的，因此其为材料、外形尺寸、工业设计、散热和辐射功率的监管要求等终端工程的方方面面带来了挑战，也为大厂在此刻的进入带来了绝佳的机会，而这势必将会诱发整条产业链上的大“地震” 。
回到5G射频前端模块发展的阻力问题上，我们发现本质上还是在于无法将毫米波模块高度集成到手机芯片中 。不得不说，尽管电子产业的技术与工艺发展已过了一个甲子，高度集成毫米波器件问题其实一直未得到解决，因此它才逐渐发展成为一个细分产业，即业内熟知的MMIC 。
实现高度集成化的好处是显而易见的 。微薄单片集成电路具有电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加功率高等一系列优点，并可缩小的电子设备体积、重量减轻、价格也降低不少，这对军用电子装备和民用电子产品都十分重要 。
但是这一点却始终是产业技术发展的难点 。早在1986年，美国国防部就将MMIC列为军事微电子计划之一，并在DARPA的领导下，采用以联邦政府巨额支助的方针，动员全国高校和工业部门各大公司的力量，分工合作，对MMIC领域开展广泛而深入的研究 。数据显示，当时美联邦政府投入资金共计5.3亿元，加上美工业部门投入，实际已超过10亿美元 。但即便如此，收效甚微 。
后进入90年代，随着冷战的结束，MMIC在民用方面应用发展以每年15~20%的速度增长，但是至今产业依然没有达成高度一致，仅在取材方面，毫米波芯片就有砷化镓（GaAs）、InP（磷化铟）、氮化镓（GaN）和硅基（CMOS、SiGe）等各种材料，并且各家射频领域的大厂仍在探索更加合适的材料和工艺 。
目前从整个市场来看，GaAs工艺已成为微波毫米波集成电路的主流工艺，而因为更高的电子迁移率、载流子饱和漂移速度和高击穿场强等性能，GaN被一致认为是未来射频器件材料的首选 。
但是正如集成电路发展伊始，所有器件的集成都需要采用统一的工艺一般，考虑到集成度和市场化发展，以及当下硅集成电路大兴的背景，虽然毫米波频段性能不足，硅基工艺仍然是产业内最有可能被商用的技术 。
不得不提，基于CMOS工艺研发而出的车载毫米波芯片为MMIC产业带来了一股春风，这让有志于在5G通信领域再基于硅片集成毫米波器件的厂商也多了底气 。
硅工艺在成本和集成度方面的巨大优势是极具诱惑力的，且其在数字电路上的应用深远而广泛，日本、美国、加拿大等国都在不断进行这方面的研究，我们国家的东南大学毫米波国家重点实验室就坚持硅基毫米波芯片，而它的研制成功势必将会大幅降低5G芯片的成本，也将极大程度地推进5G产业的发展 。
至今为止，毫米波芯片最主要的应用领域还是军用高端场景，因此可以说，5G商用在成本、尺寸等方面带来的“诸多要求”让其本身的推进和发展也充满了压力 。
目前，在5G终端射频前端集成领域，尚无一家芯片厂商有好的解决方案，因此留给初创企业的机会尚存，但是5G商业化发展已经将近，且陆续传出毫米波芯片成本大降的消息（如紫金山实验室就称其研发的毫米波芯片已经可以降至二十几元），这都预示着产业形势变化一触即发 。
主要是还没有量产应用，我们用一个简单的例子说明，一个人想做一件衣服，然后花钱找找设计师设计，接着买设备找工人加工一共花了好十万，最后只做了一件衣服那这件衣服的成本就是十万，如果他把这件衣服生产了一万件那评论每件的成本可能就只有一百多了 。芯片同样如此，而且花费更大

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