国家层面专题讨论!后摩尔时代 芯片业将迎来哪些颠覆性技术?( 二 )

  
英特尔展示其3D NAND技术  

国家层面专题讨论!后摩尔时代 芯片业将迎来哪些颠覆性技术?
  
文章插图  
来源:英特尔  
目前,采用异构堆栈的3D封装技术越来越受产业重视,英特尔、台积电、三星等一线厂商积极布局,长电科技、通富微电、华天科技这三大国内封测厂亦有技术平台 。  
台积电展示其3D封装技术之一  
国家层面专题讨论!后摩尔时代 芯片业将迎来哪些颠覆性技术?
  
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来源:台积电  
随着集成电路制造工艺技术的不断发展,对端口密度、信号延迟及封装体积等提出了越来越高的要求,促进了先进封装如凸块、倒装、硅穿孔、2.5D、3D等新型封装工艺及封装形式的出现和发展 。  
长电科技认为,3D集成技术正在三个领域向前推进:封装级集成、晶圆级集成和硅级集成 。各种类型的堆叠集成技术被用于将多个具有不同功能的芯片集中到越来越小的尺寸中 。  
新材料方面,第三代半导体被寄予厚望 。目前,第三代半导体材料中比较成熟的有碳化硅、氮化镓等 。第三代半导体材料具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等特性,可以实现更好电子浓度和运动控制,特别是在苛刻条件下备受青睐,在5G、新能源汽车、消费电子、新一代显示、航空航天等领域有重要应用 。  
(文章来源:中国证券报)  
(责任编辑:DF407)  


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