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1、IGBT是绝缘栅双极型晶体管 ， 是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点 。GTR饱和压降低 ， 载流密度大 ， 但驱动电流较大 。MOSFET驱动功率很小 ， 开关速度快 ， 但导通压降大 ， 载流密度小 。
【igbt是什么,igbt是什么器件】2、IGBT综合了两种器件的优点 ， 驱动功率小而饱和压降低 。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 。
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