重磅来袭莫斯科国立大学世界排名第几 _大学

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光刻机是半导体行业的明珠。美国希望牢牢掌握这一领域的主动权，因此对中俄进行严格的限制和制裁。中国从来没有最先进的EUV光刻机。近日，格科微推出的先进ArF光刻机只是DUV的一种。详见：《美国制裁下，格科微为何能成功引进ASML先进的ArF光刻机？》（附ArF、DUV、EUV光刻机的发展历史和区别）” 。就在俄乌冲突之际，昨日美国全面制裁俄罗斯最大芯片公司米克朗公司。今天，有消息称俄罗斯将研制出全球最先进的EUV光刻机，可能比ASML的EUV光刻机还要先进，请看详情。
投资6.7亿卢布
据报道，俄罗斯莫斯科电子技术学院（MIET）承担了贸易和工业部研制的光刻机项目，研发制造芯片。约5100万元）。研制的光刻机计划达到EUV级别，但技术原理完全不同，是基于同步加速器和/或等离子源的无掩模X射线光刻机。
“MIET 已经在无掩模 EUV 领域取得了进展，包括与该国其他科研机构和科学家团体的联合研究。该项目还将涉及 Zelenograd 公司 ESTO 和 Zelenograd 同步加速器，现在是国家研究中心库尔恰托夫研究所的技术存储中心 (TNK) Zelenograd 。
“基于在该国运行和发射的同步加速器，特别是在 TNK Zelenograd 以及国内等离子源的技术和设备的创造，将使加工具有 28 nm、16 nm 及以下设计标准的半导体晶圆成为可能， ”声明说。招标文件包含对这项研究工作（研发）的要求。 “无掩模 X 射线纳米光刻技术和正在开发中的设备该国和世界上没有类似物。
工贸部与MIET的合同价格为6.7亿卢布。
“我们谈论的是长期的研发工作，它应该在 15 年前就开始，从好的方面来说， ”Stimulus 杂志关于该项目的出版物的作者亚历山大·梅查尼克 (Alexander Mechanik) 说。
俄罗斯光刻机技术
目前全球只有ASML公司能够研发生产EUV光刻机，但其技术局限性也有限。许多，俄罗斯计划开发一种新的 EUV 光刻机，它将使用 X 射线技术生产没有光掩模的芯片。
【重磅来袭莫斯科国立大学世界排名第几】光刻机的结构和技术非常复杂，但决定光刻机分辨率的主要因素有三点，即常数K、光源波长和物镜的数值孔径。波长越短，分辨率越高，目前的EUV光刻机采用的是波长为13.5nm的极紫外光EUV ，可用于7nm及以下先进工艺的制造。
技术优势
X射线光刻机使用波长在0.01nm至10nm之间的X射线，比EUV极紫外光更短，因此光刻分辨率高得多。
此外， X-ray光刻机相对于目前的EUV光刻机还有一个优势，那就是不需要光掩模，可以直接写入光刻，这也节省了大量资金。
由于这两个特点，俄罗斯要研制的X射线光刻机具有很大的优势。甚至被当地媒体宣传为世界上不存在的光刻机， ASML做不到。
从相关资料来看，目前世界上确实没有能够达到量产的X光光刻机，但这项技术现在并不是独一无二的。不仅美国和欧洲研究过，国内的科研机构也做过X射线光刻机，光刻机只是在生产芯片的效率上无法与ASML的光刻机相比，而且只适用于特定场景。
然而，俄罗斯在 X 射线和等离子等技术方面拥有坚实的基础。
莫斯科电子技术学院
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