Digitimes在日前发表的研究报告中，分析了三星、台积电、Intel及IBM四家的半导体工艺密度问题，并对比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情况。

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从表中可以看到，英特尔工艺在目前10nm节点上晶体管密度已经达到了已经达到了1.06亿/mm2，略超三星与台积电在7nm上分别0.95亿/mm2和0.97亿/mm2的密度。
而在下一代7nm的节点，英特尔目标将晶体管密度提升至1.8亿/mm2，如果计划达成，其密度不仅将超过目前台积电最新的5nm工艺，更大幅甩开三星的5nm。
在随后的5nm工艺中，英特尔将目标定在了3亿/mm2，此目标同样高于台积电的3nm计划，与三星3nm的差距还会进一步拉大。
作者：陈沐梁
【台积电3nm|英特尔5nm工艺曝光，目标超越台积电3nm】 
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