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英诺赛科INN650DA04资料信息 。
INN650DA04是InnoGaN系列第二代新品 ， 此前已被古石科技迷你30W氮化镓快充、科讯迷你33W快充氮化镓、REMAX 30W氮化镓快充、努比亚30W氮化镓方糖快充、睿元实业33W 1A1C氮化镓快充等数十款30W快充产品采用 ， 芯片质量获得市场认可 。

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变压器特写 ， ATQ18磁芯 。

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OR-1009光耦 ， 用于初级次级通信 ， 反馈输出电压 。

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输出端一览 ， 设有Y电容和滤波固态电容 ， USB-C母座焊接在小板上 。

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Y电容特写 。

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同步整流管采用威兆半导体VSP008N10MS ， NMOS管 ， 耐压100V ， PDFN5x6封装 。

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威兆VSP008N10MS资料信息 。
充电头网拆解了解到 ， 威兆MOS管可应用在充电器、移动电源、车充、无线充、储能电源等产品上 ， 并被华为、小米、Aohi、公牛、联想、绿联、紫米、RAVPower、倍思等知名品牌的数十款产品采用 。

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输出滤波固态电容采用永铭NPX系列 ， 规格为25V 680μF 。 该系列电容具有小体积、低ESR、高容许纹波电流、高可靠性、耐开关冲击等特点 。

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充电头网了解到 ， 永铭NPX系列固态电容此前已被安克30W氮化镓超能充、安克 65W氮化镓超能充、安克45W氮化镓超能充、闪极100W 3C1A氮化镓快充、摩米士65W 2C1A氮化镓快充、倍思45W 1A1C氮化镓充电器、努比亚65W氘锋氮化镓充电器等产品使用 ， 此外还被应用在小小黑、品胜、邦克仕等品牌20W迷你充上 ， 获得客户一致认可 。

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输出端小板背面设有协议芯片以及输出VBUS开关管 。

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协议芯片采用云矽半导体XPD740 ， 用于控制1A1C接口输出电压 。 这款芯片已经通过了USB PD3.0认证 ， TID：3479 。 支持QC2.0/3.0/3.0+、AFC、FCP、SCP、HVSCP、PD2.0/3.0和PPS等快充协议 。
XPD740内部集成 10mΩ VBUS 通路功率开关管 ， 并且集成10mΩ电流检测电阻 ， 支持USB-A和USB-C双口工作模式 ， 具备完善的保护功能 ， 节省外围元件数量 ， 简化电路 ， 降低成本 。 采用TSSOP-16封装 。

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云矽半导体XPD740资料信息 。
充电头网拆解了解到 ， 云矽半导体XPD系列快充协议芯片已被公牛 ， 贝尔金 ， 联想 ， 诺基亚 ， 飞利浦 ， 傲基 ， 倍思 ， 品胜 ， 摩米士等多个品牌的数十款产品采用 ， 抓住20W PD快充风口 ， 富满集团云矽半导体单月PD协议芯片销量突破千万颗 。